UCC21530QDWKRQ1是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流.该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT\Si MOSFET 和 SiC MOSFET.

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns.两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压.

该器件可配置为两个低侧驱动器\两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器.EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行.作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平.

该器件接受的 VDD 电源电压高达 25V.凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围,该驱动器适用于连接模拟和数字控制器.所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能.

特性

具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
器件温度 1 级
功能安全质量管理型
可提供用于功能安全系统设计的文档
通用：双通道低侧\双通道高侧或半桥驱动器
宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
开关参数：
33ns 典型传播延迟
20ns 最小脉冲宽度
6ns 最大脉宽失真
共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
TTL 和 CMOS 兼容输入
输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
8V\12V 和 17V VDD UVLO 选项
可编程的重叠和死区时间
结温范围：–40°C 至 +150°C