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制造商 封装 / 外壳 系列 包装形式 产品状态 顶部金属层 底部金属层 芯片尺寸(长度 /mm) 芯片尺寸(宽度 /mm) 反向重复峰值电压 (VRRM) 正向电流 (IF)(A) 正向压降 (VF)(V) 反向电压 (VR)(V) 反向漏电流 (IR)(μA) 正向浪涌电流 (IFSM)(A) 结温 (TJ)(℃) 反向恢复时间 @Rg_1 (ns) 状态

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LBDB5T600SS-330A

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Yangjie Technology

10,000 -

-

Ag Ag 3 3 600 7.5 0.9 680 2 250 150 500 Active
LBDD5T600SS-330A

LBDD5T600SS-330A

Yangjie Technology

10,000 -

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Ag Ag 3.5 3.5 600 12.5 0.92 680 2 400 150 500 Active