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低功耗MOS系列- N & P通道
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封装 / 外壳
最小漏源电压(伏)
25℃壳温下漏极电流(安)
4.5 伏典型导通电阻(毫欧)
2.5 伏典型导通电阻(毫欧)
栅源电压(± 伏)
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