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制造商 封装 / 外壳 系列 包装形式 产品状态 顶部金属层 底部金属层 芯片尺寸(长度 /mm) 芯片尺寸(宽度 /mm) 反向重复峰值电压(VRRM) 正向平均电流(IF,A) 正向压降(VF,V) 反向电压(VR,V) 反向漏电流(IR,μA) 正向浪涌电流(IFSM,A) 结温(TJ,℃) 栅极电阻为 1Ω 时的反向恢复时间(TRR @Rg_1,ns) 状态

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图片 制造商型号 库存情况 价格 库存 数据手册 封装 / 外壳 系列 包装形式 产品状态 顶部金属层 底部金属层 芯片尺寸(长度 /mm) 芯片尺寸(宽度 /mm) 反向重复峰值电压(VRRM) 正向平均电流(IF,A) 正向压降(VF,V) 反向电压(VR,V) 反向漏电流(IR,μA) 正向浪涌电流(IFSM,A) 结温(TJ,℃) 栅极电阻为 1Ω 时的反向恢复时间(TRR @Rg_1,ns) 状态
FRD75A400AS-290A

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Yangjie Technology

10,000 -

-

Al Ag 6.6 6.6 400 20 1 420 2 700 150 75 Active
FRD75A500AS-290A

FRD75A500AS-290A

Yangjie Technology

10,000 -

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Al Ag 6.6 6.6 400 20 1 480 2 700 150 75 Active
FRD75A600AS-290A

FRD75A600AS-290A

Yangjie Technology

10,000 -

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Al Ag 6.6 6.6 600 20 1.15 630 2 700 150 75 Active
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