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制造商 封装 / 外壳 系列 包装形式 产品状态 集电极 - 发射极最小击穿电压 (VCES Min)(V) 集电极电流 @壳温 100℃(IC @ TC=100℃)(A) 集电极 - 发射极饱和电压 典型值 (VCE (sat) Typ)(V) 开通 + 关断能量 典型值 @结温 = 150℃(mJ) 结 - 壳热阻 最大值 (Rth (j-c) Max)(℃/W)

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图片 制造商型号 库存情况 价格 库存 数据手册 封装 / 外壳 系列 包装形式 产品状态 集电极 - 发射极最小击穿电压 (VCES Min)(V) 集电极电流 @壳温 100℃(IC @ TC=100℃)(A) 集电极 - 发射极饱和电压 典型值 (VCE (sat) Typ)(V) 开通 + 关断能量 典型值 @结温 = 150℃(mJ) 结 - 壳热阻 最大值 (Rth (j-c) Max)(℃/W)
MG35P12E1A

MG35P12E1A

Yangjie Technology

10,000 -

-

E1A 1200 35 1.85 7.66 0.66
MG35P12P3

MG35P12P3

Yangjie Technology

10,000 -

-

P3 1200 35 1.85 6.27 0.43
MG400HF065TLC2

MG400HF065TLC2

Yangjie Technology

10,000 -

-

C2 650 400 1.7 21.5 0.12
MG40P12E1

MG40P12E1

Yangjie Technology

10,000 -

-

E1 1200 40 1.9 9.09 0.66
MG450HF12TLC2

MG450HF12TLC2

Yangjie Technology

10,000 -

-

C2 1200 450 1.9 75.8 0.065
MG450HF12TLE3

MG450HF12TLE3

Yangjie Technology

10,000 -

-

E3 1200 450 1.85 107.8 0.065
MG50HF12TFC1

MG50HF12TFC1

Yangjie Technology

10,000 -

-

C1 1200 50 2.1 7.25 0.52
MG50P12E1A

MG50P12E1A

Yangjie Technology

10,000 -

-

E1A 1200 50 1.9 13.06 0.52
MG50P12E2

MG50P12E2

Yangjie Technology

10,000 -

-

E2 1200 50 1.9 13.06 0.52
MG50P12E2A

MG50P12E2A

Yangjie Technology

10,000 -

-

E2A 1200 50 1.9 13.06 0.52
MG600HF12TLC2

MG600HF12TLC2

Yangjie Technology

10,000 -

-

C2 1200 600 1.95 195 0.043
MG600HF12TLE3

MG600HF12TLE3

Yangjie Technology

10,000 -

-

E3 1200 600 1.75 189.5 0.045
MG75HF12TFC1

MG75HF12TFC1

Yangjie Technology

10,000 -

-

C1 1200 75 2.1 13.9 0.26
MG75P12E2

MG75P12E2

Yangjie Technology

10,000 -

-

E2 1200 75 1.85 15.2 0.37
MG75P12E2A

MG75P12E2A

Yangjie Technology

10,000 -

-

E2A 1200 75 1.85 15.2 0.339
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