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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装




































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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图片 制造商型号 库存情况 价格 库存 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
MSCGLQ200SK65TG

MSCGLQ200SK65TG

PM-IGBT-SP4

Microchip Technology

1,963 122.87

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
APTGT200DU120G

APTGT200DU120G

IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6

Microchip Technology

3,388 190.17

-

- SP6 Bulk Active Trench Field Stop Dual, Common Source 1200 V 280 A 890 W 2.1V @ 15V, 200A 350 µA 14 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6
MSCGLQ75H120CTBL3NG

MSCGLQ75H120CTBL3NG

PM-IGBT-SBD-BL3

Microchip Technology

4,181 272.02

-

- Module Bulk Active - Full Bridge 1200 V 160 A 470 W 2.4V @ 15V, 75A 50 µA 4.4 nF @ 25 V Standard Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG

MSCGLQ75DDU120CTBL3NG

PM-IGBT-SBD-BL3

Microchip Technology

2,021 272.02

-

- Module Bulk Active - Full Bridge 1200 V 160 A 470 W 2.4V @ 15V, 75A 50 µA 4.4 nF @ 25 V Standard Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
APT150GN120J

APT150GN120J

IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP

Microchip Technology

8,324 37.97

-

- ISOTOP Tube Active Trench Field Stop Single 1200 V 215 A 625 W 2.1V @ 15V, 150A 100 µA 9.5 nF @ 25 V Standard No -55°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount ISOTOP®
APTGT50TL601G

APTGT50TL601G

IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1

Microchip Technology

1,563 53.18

-

- SP1 Bulk Active Trench Field Stop Three Level Inverter 600 V 80 A 176 W 1.9V @ 15V, 50A 250 µA 3.15 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount SP1
MSCGLQ50DU120CTBL1NG

MSCGLQ50DU120CTBL1NG

PM-IGBT-SBD-BL1

Microchip Technology

9,618 101.42

-

- Module Bulk Active - Half Bridge 1200 V 110 A 375 W 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2.77 nF @ 25 V Standard Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ50A120CTBL1NG

MSCGLQ50A120CTBL1NG

PM-IGBT-SBD-BL1

Microchip Technology

7,308 101.42

-

- Module Bulk Active - Half Bridge 1200 V 110 A 375 W 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2.77 nF @ 25 V Standard Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ50DH120CTBL2NG

MSCGLQ50DH120CTBL2NG

PM-IGBT-SBD-BL2

Microchip Technology

3,343 131.68

-

- Module Bulk Active - Asymmetrical Bridge 1200 V 110 A 375 W 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2.77 nF @ 25 V Standard Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ50H120CTBL2NG

MSCGLQ50H120CTBL2NG

PM-IGBT-SBD-BL2

Microchip Technology

3,630 166.98

-

- Module Bulk Active - Full Bridge 1200 V 110 A 375 W 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2.77 nF @ 25 V Standard Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -