ADR444BRZ具有超低噪声\高精度和低温度漂移性能.利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445电压随温度变化的非线性度降至最小.

XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源,且所需的电源电压裕量较小(500 mV).这种特性组合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列适合高端数据采集系统\光学网络和医疗应用中的精密信号转换.

ADR444BRZ的拉电流输出最高达10 mA,灌电流能力最大为-5 mA.它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响.

ADR444BRZ采用8引脚MSOP和窄体SOIC封装,提供两种电气等级.所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围.

特性

超低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
ADR440：1 μV p-p
ADR441：1.2 μV p-p
ADR443：1.4 μV p-p
ADR444：1.8 μV p-p
ADR445：2.25 μV p-p
输入范围: (VOUT + 500 mV) 至 18 V
出色的温度系数
A 级: 10 ppm/°C
B 级: 3 ppm/°C
低压差工作：500 mV
高输出源电流和吸电流,分别为
+10 mA 和−5 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C

应用

精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光学控制电路