TPD2EUSB30DRTR 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列.TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准(接触式)规定的最高水平.根据 IEC 61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值.

TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压.凭借低电容\低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护.

TPD2EUSB30DRTR可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装.TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装.

特性

支持 USB 3.0 数据速率 (5Gbps)
IEC 61000-4-2 ESD 保护(4 级接触式)
IEC 61000-4-5 浪涌保护
5A (8/20µs)
低电容
DRT：0.7pF(典型值)
DQA：0.8pF(典型值)
动态电阻：0.6Ω(典型值)
节省空间的 DRT\DQA 封装
直通引脚映射