TPS22975DSGR产品系列包含两个器件：TPS22975 和 TPS22975N.每个器件都是一款单通道负载开关,可提供可配置的上升时间来尽量减小浪涌电流.此器件包括一个 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),可在 0.6 V 至 5.7V 的输入电压范围内运行并可支持 6A 的最大持续电流.此开关由一个开/关输入 (ON) 控制,此输入能够直接连接低电压控制信号.TPS22975 包含一个可选 230Ω 片上负载电阻,用于在此开关关断时进行快速输出放电.

TPS22975DSGR采用小型,节省空间的 2mm × 2mm 8 引脚 SON 封装 (DSG),集成的散热焊盘允许该器件产生较高的功率耗散.该器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 +105°C.

特性

输入电压范围：0.6V 至 VBIAS
VBIAS 电压范围：2.5V 至 5.7V
导通电阻 (RON)
RON = 16m(VIN = 0.6V 到 5.7V,
VBIAS = 5.7V 时的典型值)
6A 最大持续开关电流
低静态电流
37µA(VIN = VBIAS = 5V 时的典型值)
低控制输入阈值支持使用
1.2V\1.8V\2.5V\3.3V 逻辑器件
可配置的上升时间
热关断
快速输出放电 (QOD)(可选)
带有散热焊盘的小外形尺寸无引线 (SON) 8 引脚封装
经测试,静电放电 (ESD) 性能符合 JESD 22 规范
2000V 人体模型 (HBM) 和 1000V 带电器件模型 (CDM)