TPS51206DSQR器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器.该器件专门针对低输入电压\低成本\低外部组件数的空间受限型系统而设计.该器件可保持快速的瞬态响应,并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容.该器件支持遥感功能,并且可满足 DDR2\DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求.VTT 具有 ±2A 峰值电流能力.该器件支持所有 DDR 电源状态,在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态(挂起到 RAM);在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电(挂起到磁盘).

TPS51206DSQR器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C.

特性

电源输入电压：支持 3.3V 和 5V 电源轨
VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4V 至 3.5V
VTT 端接稳压器
输出电压范围：0.5V 至 0.9V
2A 峰值灌电流和拉电流
仅需 10µF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
±20mV 精度
VTTREF 缓冲参考输出
VDDQ/2 ± 1% 精度
10mA 灌/拉电流
支持高阻态(S3 状态)和软停止(S4 和 S5 状态),通过 S3 和 S5 输入选择
过热保护
10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装