TPS5450DDAR是一款高输出电流的 PWM 转换器,集成了低电阻高侧 N 沟道 MOSFET.具有所列的特性的基板上还包括高性能电压误差放大器(可在瞬态条件下提供高稳压精度)\欠压锁定电路(用于防止在输入电压达到 5.5V 前启动)\内部设置的慢启动电路(用于限制浪涌电流)以及电压前馈电路(用于改进瞬态响应).通过使用 ENA 引脚,关断电源电流通常可减少到 18µA.其他特性包括高电平有效使能端\过流限制\过压保护和热关断.为降低设计复杂性并减少外部组件数量,TPS5450 反馈环路进行了内部补偿.

TPS5450DDAR器件采用热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 封装.TI 提供评估模块和软件工具,有助于实现高性能电源设计,可满足迫切的器件开发周期要求.

特性

宽输入电压范围为：5.5V 至 36V
高达 5A 的持续(峰值为 6A)输出电流
通过 110mΩ 集成 MOSFET 开关实现大于 90% 的高效率
宽输出电压范围：可调节为低至 1.22V,初始精度为 1.5%
内部补偿最大限度地减少了外部器件数量
适用于小型滤波器尺寸的固定 500kHz 开关频率
18µA 关断电源电流
通过输入电压前馈改进线路调整和瞬态响应
系统受过流限制\过压保护和热关断的保护
–40°C 至 125°C 的工作结温范围
采用小型热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD™ 封装