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制造商 系列 包装 产品状态 电压 - 阳极到阴极 (Vak)(最大值) 稳压电流(最大值) 电压 - 限制(最大值) 功率 - 最大值 应用 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
























































































































































































































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结果:
图片 制造商型号 库存情况 价格 库存 数据手册 系列 包装 产品状态 电压 - 阳极到阴极 (Vak)(最大值) 稳压电流(最大值) 电压 - 限制(最大值) 功率 - 最大值 应用 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
1N5293-1

1N5293-1

DIODE CUR REG 100V 748UA 500MW

Microchip Technology

3,729 13.01
1N5293-1

数据手册

- Bulk Active 100V 748µA 1.15V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5294-1

1N5294-1

DIODE CUR REG 100V 825UA 500MW

Microchip Technology

7,119 13.01
1N5294-1

数据手册

- Bulk Active 100V 825µA 1.2V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5296-1

1N5296-1

DIODE CUR REG 100V 1.001MA 500MW

Microchip Technology

6,409 13.01
1N5296-1

数据手册

- Bulk Active 100V 1.001mA 1.29V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5299-1

1N5299-1

DIODE CUR REG 100V 1.32MA 500MW

Microchip Technology

8,690 13.01
1N5299-1

数据手册

- Bulk Active 100V 1.32mA 1.45V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5301-1

1N5301-1

DIODE CUR REG 100V 1.54MA 500MW

Microchip Technology

6,221 13.01
1N5301-1

数据手册

- Bulk Active 100V 1.54mA 1.55V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5303-1

1N5303-1

DIODE CUR REG 100V 1.76MA 500MW

Microchip Technology

3,038 13.01
1N5303-1

数据手册

- Bulk Active 100V 1.76mA 1.65V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5308-1

1N5308-1

DIODE CUR REG 100V 2.97MA 500MW

Microchip Technology

2,525 13.01
1N5308-1

数据手册

- Bulk Active 100V 2.97mA 2.15V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5310-1

1N5310-1

DIODE CUR REG 100V 3.63MA 500MW

Microchip Technology

9,513 13.01
1N5310-1

数据手册

- Bulk Active 100V 3.63mA 2.35V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5311-1

1N5311-1

DIODE CUR REG 100V 3.96MA 500MW

Microchip Technology

5,990 13.01
1N5311-1

数据手册

- Bulk Active 100V 3.96mA 2.5V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5312-1

1N5312-1

DIODE CUR REG 100V 4.29MA 500MW

Microchip Technology

7,411 13.01
1N5312-1

数据手册

- Bulk Active 100V 4.29mA 2.6V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7