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制造商 系列 包装 产品状态 电压 - 阳极到阴极 (Vak)(最大值) 稳压电流(最大值) 电压 - 限制(最大值) 功率 - 最大值 应用 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
























































































































































































































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结果:
图片 制造商型号 库存情况 价格 库存 数据手册 系列 包装 产品状态 电压 - 阳极到阴极 (Vak)(最大值) 稳压电流(最大值) 电压 - 限制(最大值) 功率 - 最大值 应用 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
1N5283-1/TR

1N5283-1/TR

DIODE CUR REG 100V 242UA 500MW

Microchip Technology

7,334 14.38

-

- Tape & Reel (TR) Active 100V 242µA 1V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-204AH (DO-35)
1N5285/TR

1N5285/TR

DIODE CUR REG 100V 297UA 475MW

Microchip Technology

3,335 14.38

-

- Tape & Reel (TR) Active 100V 297µA 1V 475mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5286/TR

1N5286/TR

DIODE CUR REG 100V 330UA 475MW

Microchip Technology

8,672 14.38

-

- Tape & Reel (TR) Active 100V 330µA 1V 475mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5284/TR

1N5284/TR

DIODE CUR REG 100V 264UA 500MW

Microchip Technology

7,358 14.38

-

- Tape & Reel (TR) Active 100V 264µA 1V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5309

1N5309

DIODE CUR REG 100V 3.3MA 500MW

Microchip Technology

8,772 13.01

-

- Bulk Active 100V 3.3mA 2.25V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5287-1

1N5287-1

DIODE CUR REG 100V 363UA 500MW

Microchip Technology

3,787 13.01
1N5287-1

数据手册

- Bulk Active 100V 363µA 1V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5306-1

1N5306-1

DIODE CUR REG 100V 2.42MA 500MW

Microchip Technology

6,620 13.01
1N5306-1

数据手册

- Bulk Active 100V 2.42mA 1.95V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5307-1

1N5307-1

DIODE CUR REG 100V 2.64MA 500MW

Microchip Technology

3,738 13.01
1N5307-1

数据手册

- Bulk Active 100V 2.64mA 2V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5311

1N5311

DIODE CUR REG 100V 3.96MA 500MW

Microchip Technology

4,830 13.01
1N5311

数据手册

- Bulk Active 100V 3.96mA 2.5V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7
1N5310

1N5310

DIODE CUR REG 100V 3.63MA 500MW

Microchip Technology

2,937 13.01
1N5310

数据手册

- Bulk Active 100V 3.63mA 2.35V 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole DO-7