图片 | 制造商型号 | 库存情况 | 价格 | 库存 | 数据手册 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 特性 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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CSD87330Q3DTMOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON Texas Instruments |
4,119 | - |
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![]() 数据手册 |
NexFET™ | 8-PowerLDFN | Bulk | Active | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | - | 30V | 20A (Ta) | 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA | 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V | 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V | 6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-LSON (3.3x3.3) |