Texas Instruments CSD87330Q3DT

CSD87330Q3DT
型号:
CSD87330Q3DT
品牌:
Texas Instruments
分类:
场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
封装:
8-PowerLDFN
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司CSD87330Q3DT.pdf
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
Texas Instruments
系列:
NexFET™
封装/外壳:
8-PowerLDFN
包装:
Bulk
产品状态:
Active
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
配置:
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 特性:
-
漏极到源极电压 (Vdss):
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
20A (Ta)
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
900pF @ 15V, 1632pF @ 15V
功率 - 最大值:
6W (Ta)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
8-LSON (3.3x3.3)

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图片 CSD87330Q3DT
型号 CSD87330Q3DT
品牌 Texas Instruments
系列 NexFET™
封装/外壳 8-PowerLDFN
包装 Bulk
产品状态 Active
技术 MOSFET (Metal Oxide)
配置 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 特性 -
漏极到源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A (Ta)
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V
功率 - 最大值 6W (Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 -
认证 -
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-LSON (3.3x3.3)
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