Texas Instruments CSD75207W15

CSD75207W15
型号:
CSD75207W15
品牌:
Texas Instruments
分类:
场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
封装:
9-UFBGA, DSBGA
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司CSD75207W15.pdf
描述:
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
Texas Instruments
系列:
NexFET™
封装/外壳:
9-UFBGA, DSBGA
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
配置:
2 P-Channel (Dual) Common Source
FET 特性:
Logic Level Gate
漏极到源极电压 (Vdss):
-
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
3.9A
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
162mOhm @ 1A, 1.8V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
1.1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
3.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
595pF @ 10V
功率 - 最大值:
700mW
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
9-DSBGA

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图片 CSD75207W15
型号 CSD75207W15
品牌 Texas Instruments
系列 NexFET™
封装/外壳 9-UFBGA, DSBGA
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 Active
技术 MOSFET (Metal Oxide)
配置 2 P-Channel (Dual) Common Source
FET 特性 Logic Level Gate
漏极到源极电压 (Vdss) -
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.9A
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 162mOhm @ 1A, 1.8V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 1.1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 3.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 595pF @ 10V
功率 - 最大值 700mW
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 -
认证 -
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 9-DSBGA
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