Texas Instruments CSD88584Q5DCT

CSD88584Q5DCT
型号:
CSD88584Q5DCT
品牌:
Texas Instruments
分类:
场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
封装:
22-PowerTFDFN
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司CSD88584Q5DCT.pdf
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
Texas Instruments
系列:
NexFET™
封装/外壳:
22-PowerTFDFN
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
配置:
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 特性:
-
漏极到源极电压 (Vdss):
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
-
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
0.95mOhm @ 30A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
2.3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
88nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
12400pF @ 20V
功率 - 最大值:
12W
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
22-VSON-CLIP (5x6)

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图片 CSD88584Q5DCT
型号 CSD88584Q5DCT
品牌 Texas Instruments
系列 NexFET™
封装/外壳 22-PowerTFDFN
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 Active
技术 MOSFET (Metal Oxide)
配置 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 特性 -
漏极到源极电压 (Vdss) 40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C -
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 0.95mOhm @ 30A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 2.3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 88nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 12400pF @ 20V
功率 - 最大值 12W
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 -
认证 -
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 22-VSON-CLIP (5x6)
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