onsemi FDMA3027PZ-F130

FDMA3027PZ-F130
型号:
FDMA3027PZ-F130
品牌:
onsemi
分类:
场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
封装:
6-WDFN Exposed Pad
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司FDMA3027PZ-F130.pdf
描述:
DUAL P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
PowerTrench®
封装/外壳:
6-WDFN Exposed Pad
包装:
Bulk
产品状态:
Discontinued at Digi-Key
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
配置:
2 P-Channel
FET 特性:
Logic Level Gate
漏极到源极电压 (Vdss):
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
3.3A
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
87mOhm @ 3.3A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
435pF @ 15V
功率 - 最大值:
700mW (Ta)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
6-WDFN (2x2)

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图片 FDMA3027PZ-F130 FDMA3027PZ FDMA3027PZ-F130
型号 FDMA3027PZ-F130 FDMA3027PZ FDMA3027PZ-F130
品牌 onsemi onsemi onsemi
系列 PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
封装/外壳 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
包装 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
产品状态 Active Obsolete Discontinued at Digi-Key
技术 - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
配置 - 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel
FET 特性 - Logic Level Gate Logic Level Gate
漏极到源极电压 (Vdss) - 30V 30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - 3.3A 3.3A
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs - 87mOhm @ 3.3A, 10V 87mOhm @ 3.3A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id - 3V @ 250µA 3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs - 10nC @ 10V 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds - 435pF @ 15V 435pF @ 15V
功率 - 最大值 700mW (Ta) 700mW 700mW (Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 - - -
认证 - - -
安装类型 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
供应商设备封装 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-WDFN (2x2)
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