Microchip Technology JAN2N2218

JAN2N2218
型号:
JAN2N2218
品牌:
Microchip Technology
分类:
单个双极晶体管
封装:
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司JAN2N2218.pdf
描述:
TRANS NPN 30V 0.8A TO39
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
Microchip Technology
系列:
-
封装/外壳:
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
包装:
Bulk
产品状态:
Active
晶体管类型:
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
800 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
30 V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
1.6V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值):
10nA
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
40 @ 150mA, 10V
功率 - 最大值:
800 mW
频率 - 跃迁:
-
工作温度:
-55°C ~ 200°C (TJ)
等级:
Military
认证:
MIL-PRF-19500/251
安装类型:
Through Hole
供应商设备封装:
TO-39 (TO-205AD)

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(3) 产品未使用,且保持原包装未拆封状态。

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(1) 在90天内联系我们提出申请;

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图片 JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL
型号 JAN2N2218 JAN2N2218A JAN2N2218AL
品牌 Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
系列 - - -
封装/外壳 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
包装 Bulk Bulk Bulk
产品状态 Active Discontinued at Digi-Key Active
晶体管类型 NPN NPN NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 800 mA 800 mA 800 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 30 V 50 V 50 V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA 1V @ 50mA, 500mA 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10nA 10nA 10nA
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V 40 @ 150mA, 10V 40 @ 150mA, 10V
功率 - 最大值 800 mW 800 mW 800 mW
频率 - 跃迁 - - -
工作温度 -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
等级 Military Military Military
认证 MIL-PRF-19500/251 MIL-PRF-19500/251 MIL-PRF-19500/251
安装类型 Through Hole Through Hole Through Hole
供应商设备封装 TO-39 (TO-205AD) TO-39 (TO-205AD) TO-5
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