Microchip Technology MSCSM70TLM10C3AG

MSCSM70TLM10C3AG
型号:
MSCSM70TLM10C3AG
品牌:
Microchip Technology
分类:
场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
封装:
Module
描述:
MOSFET 4N-CH 700V 241A MODULE
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
Microchip Technology
系列:
-
封装/外壳:
Module
包装:
Box
产品状态:
Active
技术:
Silicon Carbide (SiC)
配置:
4 N-Channel
FET 特性:
-
漏极到源极电压 (Vdss):
700V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
241A (Tc)
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
9.5mOhm @ 80A, 20V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
2.4V @ 8mA (Typ)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
430nC @ 20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
9000pF @ 700V
功率 - 最大值:
690W (Tc)
工作温度:
-40°C ~ 175°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Through Hole
供应商设备封装:
Module

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图片 MSCSM70TLM10C3AG
型号 MSCSM70TLM10C3AG
品牌 Microchip Technology
系列 -
封装/外壳 Module
包装 Box
产品状态 Active
技术 Silicon Carbide (SiC)
配置 4 N-Channel
FET 特性 -
漏极到源极电压 (Vdss) 700V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 241A (Tc)
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 9.5mOhm @ 80A, 20V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 2.4V @ 8mA (Typ)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 430nC @ 20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 9000pF @ 700V
功率 - 最大值 690W (Tc)
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
安装类型 Through Hole
供应商设备封装 Module
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