onsemi NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G
型号:
NSBA123EDXV6T1G
品牌:
onsemi
分类:
双极晶体管阵列,预偏置
封装:
SOT-563, SOT-666
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司NSBA123EDXV6T1G.pdf
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
-
封装/外壳:
SOT-563, SOT-666
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
晶体管类型:
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
50V
电阻 - 基极 (R1):
2.2kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2):
2.2kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
8 @ 5mA, 10V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
频率 - 跃迁:
-
功率 - 最大值:
500mW
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
SOT-563

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图片 NSBA123EDXV6T1G
型号 NSBA123EDXV6T1G
品牌 onsemi
系列 -
封装/外壳 SOT-563, SOT-666
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 Active
晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 50V
电阻 - 基极 (R1) 2.2kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2) 2.2kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 -
功率 - 最大值 500mW
等级 -
认证 -
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 SOT-563
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