onsemi NSVBA143EMXWTBG

NSVBA143EMXWTBG
型号:
NSVBA143EMXWTBG
品牌:
onsemi
分类:
单个预偏置双极晶体管
封装:
3-XFDFN
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司NSVBA143EMXWTBG.pdf
描述:
BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
NSBAMXW
封装/外壳:
3-XFDFN
包装:
Bulk
产品状态:
Discontinued at Digi-Key
晶体管类型:
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
50 V
电阻 - 基极 (R1):
4.7 kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2):
4.7 kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
15 @ 5mA, 10V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
频率 - 跃迁:
-
功率 - 最大值:
450 mW
等级:
Automotive
认证:
AEC-Q101
安装类型:
Surface Mount, Wettable Flank
供应商设备封装:
3-XDFNW (1x1)

1. 如何在 深圳芯茂腾电子科技有限公司 订购 NSVBA143EMXWTBG?

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(3) 产品未使用,且保持原包装未拆封状态。

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如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

图片 NSVBA143EMXWTBG
型号 NSVBA143EMXWTBG
品牌 onsemi
系列 NSBAMXW
封装/外壳 3-XFDFN
包装 Bulk
产品状态 Discontinued at Digi-Key
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 50 V
电阻 - 基极 (R1) 4.7 kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2) 4.7 kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 -
功率 - 最大值 450 mW
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
安装类型 Surface Mount, Wettable Flank
供应商设备封装 3-XDFNW (1x1)
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