onsemi NTTFD1D8N02P1E

NTTFD1D8N02P1E
型号:
NTTFD1D8N02P1E
品牌:
onsemi
分类:
场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列
封装:
8-PowerWDFN
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司NTTFD1D8N02P1E.pdf
描述:
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
PowerTrench®
封装/外壳:
8-PowerWDFN
包装:
Bulk
产品状态:
Discontinued at Digi-Key
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
配置:
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 特性:
-
漏极到源极电压 (Vdss):
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
11A (Ta), 21A (Ta)
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
2V @ 190µA, 2V @ 310µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
873pF @ 15V, 2700pF @ 15V
功率 - 最大值:
800mW (Ta), 900mW (Ta)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
8-PQFN (3.3x3.3)

1. 如何在 深圳芯茂腾电子科技有限公司 订购 NTTFD1D8N02P1E?

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2. 深圳芯茂腾电子科技有限公司 如何保证 NTTFD1D8N02P1E 来自原厂或授权代理?

我们拥有一支专业且经验丰富的质检团队,严格对 NTTFD1D8N02P1E 进行验证和测试。所有供应商必须通过我们的资质审核后,方可在 深圳芯茂腾电子科技有限公司 上发布包括 NTTFD1D8N02P1E 在内的产品;我们比任何客户都更重视 NTTFD1D8N02P1E 的渠道与质量。我们严格执行供应商审核程序,您可以放心购买。

3. 网站显示的 NTTFD1D8N02P1E 价格和库存准确吗?

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所有商品出库前将进行出货前检查(PSI),从所有批次中随机抽取产品进行系统性检查。若所交付的 NTTFD1D8N02P1E 存在问题,满足以下所有条件方可办理退换:

(1) 如数量不足、型号错误、外观明显缺陷(如破损、生锈等),且我们已确认问题属实;

(2) 须在收到 NTTFD1D8N02P1E 后90天内告知上述问题;

(3) 产品未使用,且保持原包装未拆封状态。

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(1) 在90天内联系我们提出申请;

(2) 获取退货授权(RMA)。

7. 如何联系我们获取技术支持,如 NTTFD1D8N02P1E 的引脚图、数据手册?

如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

图片 NTTFD1D8N02P1E
型号 NTTFD1D8N02P1E
品牌 onsemi
系列 PowerTrench®
封装/外壳 8-PowerWDFN
包装 Bulk
产品状态 Discontinued at Digi-Key
技术 MOSFET (Metal Oxide)
配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 特性 -
漏极到源极电压 (Vdss) 25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A (Ta), 21A (Ta)
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 2V @ 190µA, 2V @ 310µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V
功率 - 最大值 800mW (Ta), 900mW (Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 -
认证 -
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-PQFN (3.3x3.3)
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