onsemi NTTFS005N04CTAG

NTTFS005N04CTAG
型号:
NTTFS005N04CTAG
品牌:
onsemi
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
封装:
8-PowerWDFN
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司NTTFS005N04CTAG.pdf
描述:
MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
-
封装/外壳:
8-PowerWDFN
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
FET 类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压 (Vdss):
40 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
17A (Ta), 69A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
10V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
5.6mOhm @ 35A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
3.5V @ 40µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
16 nC @ 10 V
栅极电压 (Vgs)(最大值):
±20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
1000 pF @ 25 V
FET 特性:
-
功耗(最大值):
3.1W (Ta), 50W (Tc)
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
8-WDFN (3.3x3.3)

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如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

图片 NTTFS005N04CTAG
型号 NTTFS005N04CTAG
品牌 onsemi
系列 -
封装/外壳 8-PowerWDFN
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 Active
FET 类型 N-Channel
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压 (Vdss) 40 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A (Ta), 69A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 5.6mOhm @ 35A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 3.5V @ 40µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 16 nC @ 10 V
栅极电压 (Vgs)(最大值) ±20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 1000 pF @ 25 V
FET 特性 -
功耗(最大值) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 8-WDFN (3.3x3.3)
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