onsemi NXH450B100H4Q2F2PG

NXH450B100H4Q2F2PG
型号:
NXH450B100H4Q2F2PG
品牌:
onsemi
分类:
IGBT 模块
封装:
Module
描述:
1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
-
封装/外壳:
Module
包装:
Tray
产品状态:
Active
IGBT 类型:
-
配置:
2 Independent
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
101 A
功率 - 最大值:
234 W
导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 150A
电流 - 集电极截止(最大值):
600 µA
输入电容 (Cies) @ Vce:
9.342 nF @ 20 V
输入:
Standard
NTC 热敏电阻:
Yes
工作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:
Chassis Mount
供应商设备封装:
56-PIM (93x47)

1. 如何在 深圳芯茂腾电子科技有限公司 订购 NXH450B100H4Q2F2PG?

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图片 NXH450B100H4Q2F2PG NXH450B100H4Q2F2PG-R
型号 NXH450B100H4Q2F2PG NXH450B100H4Q2F2PG-R
品牌 onsemi onsemi
系列 - -
封装/外壳 Module Module
包装 Tray Tray
产品状态 Active Last Time Buy
IGBT 类型 - -
配置 2 Independent Half Bridge Inverter
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 1000 V 1000 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 101 A 101 A
功率 - 最大值 234 W 234 W
导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 150A 2.25V @ 15V, 150A
电流 - 集电极截止(最大值) 600 µA 600 µA
输入电容 (Cies) @ Vce 9.342 nF @ 20 V 9.342 nF @ 20 V
输入 Standard Standard
NTC 热敏电阻 Yes Yes
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 Chassis Mount Chassis Mount
供应商设备封装 56-PIM (93x47) 56-PIM (93x47)
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