onsemi SMMUN2111LT1G

SMMUN2111LT1G
型号:
SMMUN2111LT1G
品牌:
onsemi
分类:
单个预偏置双极晶体管
封装:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司SMMUN2111LT1G.pdf
描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
-
封装/外壳:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
晶体管类型:
PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
50 V
电阻 - 基极 (R1):
10 kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2):
10 kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
频率 - 跃迁:
-
功率 - 最大值:
246 mW
等级:
Automotive
认证:
AEC-Q101
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
SOT-23-3 (TO-236)

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图片 SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT1G-M01
型号 SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT1G-M01
品牌 onsemi onsemi
系列 - -
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装 Tape & Reel (TR) Bulk
产品状态 Active Obsolete
晶体管类型 PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA 100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 50 V 50 V
电阻 - 基极 (R1) 10 kOhms 10 kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2) 10 kOhms 10 kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA 500nA
频率 - 跃迁 - -
功率 - 最大值 246 mW 246 mW
等级 Automotive Automotive
认证 AEC-Q101 AEC-Q101
安装类型 Surface Mount Surface Mount
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
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