STMicroelectronics STGW80H65DFB

STGW80H65DFB
型号:
STGW80H65DFB
品牌:
STMicroelectronics
分类:
单个 IGBTs
封装:
TO-247-3
数据手册:
深圳芯茂腾电子科技有限公司STGW80H65DFB.pdf
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
STMicroelectronics
系列:
-
封装/外壳:
TO-247-3
包装:
Tube
产品状态:
Active
IGBT 类型:
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):
240 A
导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic:
2V @ 15V, 80A
功率 - 最大值:
469 W
开关能量:
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
输入类型:
Standard
栅极电荷:
414 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C:
84ns/280ns
测试条件:
400V, 80A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):
85 ns
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Through Hole
供应商设备封装:
TO-247

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图片 STGW80H65DFB STGW80H65DFB-4
型号 STGW80H65DFB STGW80H65DFB-4
品牌 STMicroelectronics STMicroelectronics
系列 - -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-4
包装 Tube Tube
产品状态 Active Active
IGBT 类型 Trench Field Stop Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 650 V 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A 240 A
导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A 2V @ 15V, 80A
功率 - 最大值 469 W 469 W
开关能量 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
输入类型 Standard Standard
栅极电荷 414 nC 414 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 84ns/280ns 84ns/280ns
测试条件 400V, 80A, 10Ohm, 15V 400V, 80A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr) 85 ns 85 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 - -
认证 - -
安装类型 Through Hole Through Hole
供应商设备封装 TO-247 TO-247-4
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