onsemi TF252TH-4A-TL-H

TF252TH-4A-TL-H
型号:
TF252TH-4A-TL-H
品牌:
onsemi
分类:
结型场效应晶体管(JFETs)
封装:
3-SMD, Flat Leads
描述:
JFET N-CH 1MA VTFP
数量:

产品信息

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产品属性
属性值
品牌:
onsemi
系列:
-
封装/外壳:
3-SMD, Flat Leads
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Obsolete
FET 类型:
N-Channel
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):
-
漏极到源极电压 (Vdss):
-
电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0):
140 µA @ 2 V
漏极电流 (Id) - 最大值:
1 mA
截止电压 (VGS off) @ Id:
100 mV @ 1 µA
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
3.1pF @ 2V
电阻 - RDS(On):
-
功率 - 最大值:
100 mW
工作温度:
-
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
VTFP

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图片 TF252TH-4-TL-H TF252TH-4A-TL-H TF252TH-5-TL-H TF252TH-5-TL-H
型号 TF252TH-4-TL-H TF252TH-4A-TL-H TF252TH-5-TL-H TF252TH-5-TL-H
品牌 onsemi onsemi onsemi onsemi
系列 - - - -
封装/外壳 3-SMD, Flat Leads 3-SMD, Flat Leads 3-SMD, Flat Leads 3-SMD, Flat Leads
包装 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
产品状态 Obsolete Obsolete Active Obsolete
FET 类型 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) - - - -
漏极到源极电压 (Vdss) - - - -
电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 140 µA @ 2 V 140 µA @ 2 V 210 µA @ 2 V 210 µA @ 2 V
漏极电流 (Id) - 最大值 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA
截止电压 (VGS off) @ Id 100 mV @ 1 µA 100 mV @ 1 µA 1 V @ 1 µA 1 V @ 1 µA
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 3.1pF @ 2V 3.1pF @ 2V 3.1pF @ 2V 3.1pF @ 2V
电阻 - RDS(On) - - - -
功率 - 最大值 100 mW 100 mW 100 mW 100 mW
工作温度 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
等级 - - - -
认证 - - - -
安装类型 Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
供应商设备封装 3-VTFP VTFP 3-VTFP 3-VTFP
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